MRAM
的有关信息介绍如下:MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性的磁性随机存储器,它利用磁电阻效应来存储数据。与传统的半导体随机存取存储器(RAM)不同,MRAM使用磁性隧道结(MTJ)作为存储单元,通过改变磁化方向来记录二进制数据。
想要了解更多“MRAM”的信息,请点击:MRAM百科
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性的磁性随机存储器,它利用磁电阻效应来存储数据。与传统的半导体随机存取存储器(RAM)不同,MRAM使用磁性隧道结(MTJ)作为存储单元,通过改变磁化方向来记录二进制数据。
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