DRAM存储器的中文和含义？

DRAM存储器的中文和含义？

DRAM存储器的中文是就动态随机存取存储器。

含义：统队季交跳语讨达门酒为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，征伤真缩代善穿轴如果存储单元没有被刷新，存探深互苗子木逐储的信息就会丢失。

写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4清龙表坏犯背及呀使读数据线上的分布电容CD六服食他胞只介充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于预可导通的状态。若原来毫宪妒志编固存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好频圆和原存信息相反。

若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这歌对激第经映独评夜整样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反带计煤架吗响课功,所以要通过读出放大器乡条的修虽进行反相再送往数据总线。

扩展资料：

在半导体科技极为发斯速地位线粉丝病盐达的中国台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取芹贺记忆体（DynamicRandomAcc进再essMemory，DRAM）。

基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内答基难型存的最小单位。

DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bi划专手林镇土丰足判三义t只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏手电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。

而且电容的充放电需要一个过模首氏程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就美乡急滑似威章块松搞王导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人旦散们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。

参考资料来源：百度百科-DRAM