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松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面，Si基板产品为18.3nC

GaN在基站中的应用比例持续扩大，市场增速可观。预计2022年全球4G／5G基站市场规模将达到16亿美元，值得关注的是，用于5G毫米波频段的射频前端模块年复合增长率将达到119％，用于

在碳化硅（GaN SiC）半导体技术上的高性能氮化镓正在基础设施、航空航天、国防和商业产品中取得进展。QoVo®是高功率RF器件、功率放大器、晶体管、振荡器、开关以及更多的GaN的先锋，致力于提供高性能、可靠的器件来解决世界领先公司的RF挑战。一个高质量的GaN供应商的特征是什么？

WT588F02A-16S是深圳唯创知音电子有限公司最新研发的一款16位DSP语音芯片、内部振荡32Mhz，16位的PWM解码。强大功能让WT588F02A-16S成为语音芯片行业中的佼佼者。目前

今天我们一起聊一聊GaN市场的产能情况。虽然近三年来，GaN的投资项目遍地开花，有很多在建项目，但真正能给市场提供产品的工厂并不多。

高功率密度、高效率和更宽的频率支持使基于 GaN 的解决方案成为适合许多射频应用的优良选择。嵌入式系统设计人员都知道，每一种材料都必须权衡利弊。在探讨最佳设计实践之前，有必要澄清关于 GaN 的一些

GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。

Qorvo 是全球领先的GaN RF 供应商，自1999 年起就一直在推动GaN 研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。

GAN 自从被提出以来，就广受大家的关注，尤其是在计算机视觉领域引起了很大的反响。“深度解读：GAN模型及其在2016年度的进展”［1］一文对过去一年GAN的进展做了详细介绍，十分推荐学习GAN

尽管 GAN 领域的进步令人印象深刻，但其在应用过程中仍然存在一些困难。本文梳理了 GAN 在应用过程中存在的一些难题，并提出了最新的解决方法。

作者：马坤 （kuner0806@163.com） 随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别？本文我们就做一些比对；帮助

现在，GaN已被部署到机载电子战领域；未来，GaN将会越来越多的用于工作在毫米波频率的系统。

生成对抗网络GAN很强大，但也有很多造成GAN难以使用的缺陷。本文介绍了可以克服GAN训练缺点的一些解决方案，有助于提高GAN性能。

这篇 GAN 论文来自 NVIDIA Research，提出以一种渐进增大（progressive growing）的方式训练 GAN，通过使用逐渐增大的 GAN 网络（称为 PG-GAN）和精心

国外厂商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解决方案被众多厂商使用。其实，除了国外的GaN控制芯片，国内的GaN控制芯片这几年发展得也不错，特别是今年突如其来的芯片缺货问题，更是加快了国产GaN控制芯片发展的步伐，不少之前使用国外控制芯片方案商和终端厂商开始切换到国内企业的产品。

我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。 GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。

今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃，GaN逐渐成为主流，开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟，并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。

通过与 Exagan 的集成，ST 将拥有市场上最强大的 GaN IP 产品组合，因为我们将能够同时提供 E 模式和 D 模式 GaN 产品，从而为未来十年制定清晰的路线图。正如 ST GaN 业务部门经理 Roberto Crisafulli 所解释的那样。

功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影响到最终产品性能的退化机制很重要。

镓(Ga)是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。GaN-on-SiC在射频应用中

GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷达系统、监测和预报局地强降水，以及5G系统，提供毫米波段的通信。

GaN材料原先被用为如蓝色LED等LED类产品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度与高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基质上成长，在面积与整体成本考量上，也具有比碳化硅元件更划算的可能性。

对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。

TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓（GaN）的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全新特性—功率GaN。高电子迁移晶体管（HEMT）。

Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN，以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能，减少浪费。金刚石上的GaN晶片是通过GaN